Неисправности и проверка транзисторов (триодов)

Транзистор — это два диода включенных встречно, а точка их соединения будет являться «базой».

Один диод образован выводами, например, базы и коллектора, а другой диод выводами базы и эмиттера. Достаточно проверить прямое и обратное сопротивление этих диодов, и если они исправны, значит, и транзистор работоспособен.

Транзистор структуры (проводимость) p-n-p. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n.

Чтобы открыть p-n-p транзистор, на вывод базы подается отрицательное напряжение (минус). Мультиметр переводим в режим измерения сопротивлений на предел «2000», также можно в режиме «прозвонка» .

Минусовым щупом (черного цвета) садимся на вывод базы, а плюсовым (красного цвета) поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера — так называемые коллекторный и эмиттерный переходы. Если переходы целы, то их прямое сопротивление будет находиться в пределах 500 — 1200 Ом.

Проверка обратного сопротивления коллекторного и эмиттерного переходов.
Плюсовым щупом садимся на вывод базы, а минусовым касаемся выводов коллектора и эмиттера. На этот раз мультиметр должен показать большое сопротивление на обоих p-n переходах.

Таким способом можно проверять исправность транзистора и на печатной плате, не выпаивая его из схемы.

Схемы, где p-n переходы транзистора сильно зашунтированы низкоомными резисторами. Но это явление редко встречается. Если при измерении будет видно, что прямое и обратное сопротивление коллекторного или эмиттерного переходов слишком мало, тогда придется выпаять вывод базы.

Исправность транзисторов структуры n-p-n проверяется так же, только уже к базе подключается плюсовой щуп мультиметра.

Неисправности транзистора.

1. Если прямое и обратное сопротивление одного из p-n переходов бесконечно велико, т. е. на пределе измерения «2000» и выше мультиметр показывает «1», значит, этот переход находится в обрыве, и транзистор однозначно неисправен.

2. Когда прямое и обратное сопротивления одного из p-n переходов равны нулю или около того. Это говорит о том, что переход пробит, и транзистор не годен.

3. Пробой или сгорание одного или нескольких переходов

Причина неисправности:

а) Значения обратных напряжений, прикладываемых к переходам, превышают максимально допустимые для данного транзистора
б) Перенапряжения во входных (выходных) цепях транзистора, вызванные коммутированием тока в индуктивностях нагрузки
в) Перегрузка по току
г) Ухудшились условия охлаждения

Устранение:

а) При замене уменьшить значения обратных напряжений, зашунтировав соответствующие переходы (резисторами, диодами, стабилитронами)
б) При замене снизить перенапряжения с помощью защитных цепочек, стабилитронов, обратных шунтирующих диодов
в) При замене выяснить и устранить причины перегрузки и при необходимости последовательно с нагрузкой включить резистор, контролируя достаточность уровня выходного сигнала транзистора
г) При замене:
восстановить нормальное функционирование штатной системы охлаждения;

увеличить площадь радиатора;
применить принудительное охлаждение

4. Обрыв выводов

Причина неисправности:

а) Недостаточно жесткое закрепление или повышенная вибрация

Устранение:

а) При замене улучшить крепление или устранить причину повышенной вибрации

Примечание: Величина сопротивления коллекторного перехода всегда будет меньше по отношению к эмиттерному. Т. е. вывод коллектора будет там, где сопротивление p-n перехода меньше, а эмиттера, где сопротивление p-n перехода больше.